电针对大鼠脑局部缺血再灌流后c-fos、mRNA表达的影响

doi:10.13703/j.0255-2930.2000.04.029

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电针对大鼠脑局部缺血再灌流后c-fos、mRNA表达的影响

更新时间：2023-05-10

- 电针对大鼠脑局部缺血再灌流后c-fos、mRNA表达的影响
- Chinese Acupuncture and Moxibustion Issue 4, (2000)
- 作者机构：
  
  1. 崇文区中医医院,北京,100061
  2. 首都医科大学附属北京同仁医院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13703/j.0255-2930.2000.04.029
  CLC：
- Published：2000
- 稿件说明：
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[J]. Chinese Acupuncture and Moxibustion, 2000, (4).
DOI：

[J]. Chinese Acupuncture and Moxibustion, 2000, (4). DOI： 10.13703/j.0255-2930.2000.04.029.

摘要

采用Wistar大鼠

线栓法制作脑局部缺血再灌流动物模型

以原位杂交技术及苏木素 -伊红 (HE)染色方法

观察电针对缺血侧额叶、顶叶及海马各区内c fos、mRNA表达并神经元组织形态学改变的影响。结果表明

电针能显著增强脑局部缺血再灌流后病灶侧额、顶叶皮层及海马各区c fos、mRNA表达

并能减少缺血再灌流损伤后上述各脑区神经元的变性坏死。结果提示电针对脑局部缺血后受损神经元的保护作用可能与增强了c fos、mRNA的表达有关

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