目的:通过观察脑梗死患者脑组织内代谢物氢质子磁共振波谱成像(1 H-MRS)

研究电针治疗对脑梗死后记忆障碍的影响。方法:将60例脑梗死后出现记忆障碍患者随机分为观察组及对照组

每组30例。对照组给予康复科常规康复训练及常规药物治疗;观察组在对照组治疗基础上加用电针干预

取中额中线(MS 1)、顶中线(MS 5)、顶颞后斜线(MS 7)、合谷、太冲、足三里、太溪、悬钟、风池

均双侧取穴。每日治疗1次

每周治疗5次

治疗时间为8周。全部患者均于治疗前及治疗后进行临床记忆量表评分

并进行头部常规磁共振(MRI)及1 H-MRS扫描

测定脑梗死病灶区N-乙酰天门冬氨酸(NAA)/肌酸(Cr)、胆碱(Cho)/Cr的比值。结果:治疗8周后

两组患者临床记忆量表评分较治疗前均升高(P<0.01)

NAA/Cr均较治疗前升高(P<0.05)

Cho/Cr均较治疗前下降(P<0.05)

且与对照组相比

观察组变化更为明显(均P<0.05)。结论:在常规药物治疗和康复训练基础上

电针能够改善脑组织的代谢

提高患者的记忆功能

疗效优于单纯药物与康复训练治疗。